⚛️ 実効質量の導出(2階偏微分との関係)

🎯 この章で理解すること

なぜ実効質量が分散関係式の2階偏微分で表されるのか?
量子力学的な運動方程式から出発して、実効質量の物理的意味と数学的導出を完全に理解しよう!

🤔 問題設定:なぜ2階偏微分なのか?

半導体物理では、電子や正孔の実効質量が以下のように定義されます:

実効質量の定義

$$\frac{1}{m^*} = \frac{1}{\hbar^2} \frac{\partial^2 E}{\partial k^2}$$

なぜ2階微分なのでしょうか?🤯

🔬 物理的直感

古典力学では質量は運動量と速度の関係 $p = mv$ から定義されます。

量子力学では:

  • 運動量: $p = \hbar k$ (ド・ブロイの関係)
  • 速度: $v = \frac{1}{\hbar} \frac{\partial E}{\partial k}$ (群速度)

この関係から質量を求めると... 2階微分が登場します!

🧮 Step-by-Step 完全導出

1量子力学の基本関係式

まず、量子力学における基本的な関係式を確認します:

ド・ブロイの関係: $$p = \hbar k$$ プランクの関係: $$E = \hbar \omega$$ 分散関係: $$E = E(k) \quad \text{(バンド構造で決まる)}$$

ここで、$k$ は波数ベクトル、$E$ はエネルギーです。

2群速度の導出

波束として伝播する電子の速度(群速度)を求めます:

波束の位相: $\phi = kx - \omega t$

群速度:

$$v_g = \frac{d\omega}{dk} = \frac{1}{\hbar} \frac{dE}{dk} = \frac{1}{\hbar} \frac{\partial E}{\partial k}$$

最後の等号は、$E = \hbar \omega$ より $\frac{d\omega}{dk} = \frac{1}{\hbar}\frac{dE}{dk}$ から得られます。

3運動方程式の設定

外場中での電子の運動を考えます。半古典的近似では:

運動方程式(Newton第2法則): $$F = \frac{dp}{dt} = m^* \frac{dv}{dt}$$ 外力: $$F = -q\mathcal{E} \quad \text{(電界 $\mathcal{E}$ による)}$$

ここで $q$ は電子の電荷、$m^*$ は求めたい実効質量です。

4運動量の時間変化

結晶中の電子では、運動量 $p = \hbar k$ の時間変化は:

$$\frac{dp}{dt} = \hbar \frac{dk}{dt}$$

半古典近似では、外場による force は:

$$\hbar \frac{dk}{dt} = -q\mathcal{E}$$

したがって:

$$\frac{dk}{dt} = -\frac{q\mathcal{E}}{\hbar}$$

5速度の時間変化

群速度の時間微分を計算します:

$$\frac{dv}{dt} = \frac{d}{dt}\left(\frac{1}{\hbar}\frac{\partial E}{\partial k}\right)$$

連鎖律を使って:

$$\frac{dv}{dt} = \frac{1}{\hbar} \frac{\partial}{\partial k}\left(\frac{\partial E}{\partial k}\right) \frac{dk}{dt} = \frac{1}{\hbar} \frac{\partial^2 E}{\partial k^2} \frac{dk}{dt}$$

Step 4の結果を代入:

$$\frac{dv}{dt} = \frac{1}{\hbar} \frac{\partial^2 E}{\partial k^2} \left(-\frac{q\mathcal{E}}{\hbar}\right) = -\frac{q\mathcal{E}}{\hbar^2} \frac{\partial^2 E}{\partial k^2}$$

6実効質量の導出

Newton の第2法則 $F = m^* \frac{dv}{dt}$ に代入:

$$-q\mathcal{E} = m^* \left(-\frac{q\mathcal{E}}{\hbar^2} \frac{\partial^2 E}{\partial k^2}\right)$$

両辺を $-q\mathcal{E}$ で除して:

$$1 = \frac{m^*}{\hbar^2} \frac{\partial^2 E}{\partial k^2}$$

したがって:

$$\boxed{\frac{1}{m^*} = \frac{1}{\hbar^2} \frac{\partial^2 E}{\partial k^2}}$$

🎯 導出結果の物理的意味

🔬 なぜ2階微分なのか?

  1. 速度は分散関係の1階微分:$v = \frac{1}{\hbar}\frac{\partial E}{\partial k}$
  2. 加速度は速度の時間微分で、結果として2階微分が現れる
  3. 質量は力と加速度の比なので、2階微分に反比例

つまり、2階微分は「曲率」を表し、バンドの曲がり具合が質量を決める!

📊 バンド構造との関係

E-k 関係と実効質量

k E 価電子帯 m*h > 0 (軽い) 伝導帯 m*e > 0 (軽い) ∂²E/∂k² > 0 ∂²E/∂k² < 0 Eg

バンドの曲率(2階微分)が実効質量を決定する。曲率が大きいほど質量は小さくなる。

💡 放物線近似

バンド端近傍では、多くの場合にE-k関係を放物線で近似できます:

$$E(k) = E_0 + \frac{\hbar^2 k^2}{2m^*}$$

この場合、2階微分は:

$$\frac{\partial^2 E}{\partial k^2} = \frac{\hbar^2}{m^*}$$

これは我々の導出と完全に一致します!

🔍 3次元への拡張:実効質量テンソル

テンソル表記の必要性

実際の結晶では、方向によって質量が異なります:

$$\frac{1}{m^*_{ij}} = \frac{1}{\hbar^2} \frac{\partial^2 E}{\partial k_i \partial k_j}$$

これは実効質量テンソルと呼ばれ、結晶の対称性を反映します。

結晶系 対称性 独立な質量成分
立方晶 等方的 $m^* = m^*_x = m^*_y = m^*_z$ Si, Ge
六方晶 一軸異方性 $m^*_\parallel, m^*_\perp$ GaN, ZnO
一般的 三軸異方性 $m^*_x, m^*_y, m^*_z$ 有機半導体

📈 具体例と数値計算

例1: 自由電子(放物線バンド)

分散関係: $E = \frac{\hbar^2 k^2}{2m_0}$

2階微分: $\frac{\partial^2 E}{\partial k^2} = \frac{\hbar^2}{m_0}$

実効質量: $\frac{1}{m^*} = \frac{1}{\hbar^2} \cdot \frac{\hbar^2}{m_0} = \frac{1}{m_0}$

結果: $m^* = m_0$ (当然の結果!)

例2: シリコンの伝導帯

Siの伝導帯はX点付近に6個の楕円体バレーを持ちます:

  • 縦質量: $m^*_l = 0.98 m_0$
  • 横質量: $m^*_t = 0.19 m_0$

これらは対応する方向の2階微分値から計算されます。

⚡ 重要なポイント

🔥 覚えるべき要点

  • 物理的起源: 加速度(2階の量)が質量を決める
  • 数学的表現: $\frac{1}{m^*} = \frac{1}{\hbar^2} \frac{\partial^2 E}{\partial k^2}$
  • 幾何学的意味: バンドの曲率が質量を決める
  • 方向依存性: テンソル量として扱う必要
  • 近似の妥当性: バンド端近傍での放物線近似

⚠️ 注意点

  • 実効質量はバンド構造に依存する材料定数
  • バンド端から離れると放物線近似が破綻
  • 強い電界下では準古典近似が不適当
  • 量子効果が強い場合は修正が必要

🎯 最終結論

実効質量が2階偏微分で表される理由:

  1. 群速度は分散関係の1階微分
  2. 加速度は群速度の時間微分 → 2階微分
  3. 質量は力と加速度の比 → 2階微分の逆数

これは量子力学と古典力学を結ぶ美しい関係式です!✨

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